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兆聲清洗機(jī)不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了它的不足。在清洗時(shí)，由換能器發(fā)出波長(zhǎng)為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動(dòng)下作加速運(yùn)動(dòng)，最大瞬時(shí)速度可達(dá)到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強(qiáng)制除去并進(jìn)入到清洗液中。兆聲清洗機(jī)的操作規(guī)程：1、遵守鑄造設(shè)備通用操作規(guī)程。2、工作前還必須遵守：a、檢查管路系統(tǒng)有無(wú)漏氣漏水的情況，如有這種情況，應(yīng)通知維修人員修理。b、檢查清洗...

ICP刻蝕機(jī)是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺(tái)的高速刻蝕系統(tǒng)，系統(tǒng)可以達(dá)到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實(shí)現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物(如GaAs，InP，GaN，InSb)、II-VI化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。ICP刻蝕機(jī)的工作原理：感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡(jiǎn)稱(chēng)ICPE)是化學(xué)過(guò)程和物理過(guò)程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是...

硅片清洗機(jī)可以適用于易受損的帶圖案或無(wú)圖案的基片，包含帶保護(hù)膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達(dá)到優(yōu)化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面，通過(guò)分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍內(nèi)。硅片清洗機(jī)應(yīng)用：帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗CMP處理后的晶圓片清洗晶圓框架上的切粒芯片清洗等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗帶保...

進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī)主要用途及應(yīng)用范圍：主要用于鍍制增透膜、帶通膜和截止膜等各種膜系，能夠?qū)崿F(xiàn)100層膜的超大型膜系鍍膜，也能滿(mǎn)足在樹(shù)脂鏡片上鍍制各種顏色的增透膜以及在太陽(yáng)鏡片上鍍制紅、黃、藍(lán)、綠等顏色的反光膜，適用于大批量鍍各種高質(zhì)量的光學(xué)膜和鋁膜,還適用于裝飾品的鍍膜，如七彩等顏色。進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī)產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：?配置電子束及電阻蒸發(fā)系統(tǒng)；?電子槍在整個(gè)蒸發(fā)過(guò)程中膜料表面平整，蒸發(fā)分布均勻；?配置石英晶體膜厚控制儀可實(shí)現(xiàn)成膜速度和鍍膜過(guò)程的自動(dòng)控制；?配置大功率離子源，保證膜層...

掩模板清洗機(jī)是一款帶有小占地面積的理想設(shè)備，并且很容易安裝在空間有限的超凈間中。該系列設(shè)備都具有出眾的清洗能力，并可用于非常廣泛的基片。提供了可控的化學(xué)試劑滴膠能力，這使得顆粒從基片表面的去除能力得以進(jìn)一步加強(qiáng)。SWC和LSC具備對(duì)點(diǎn)試劑滴膠系統(tǒng)，可以zui大程度節(jié)省化學(xué)試劑的用量的。滴膠系統(tǒng)支持可編程的化學(xué)試劑混合能力，提供了可控的化學(xué)試劑在整個(gè)基片上的分布。掩模板清洗機(jī)技術(shù)確保了聲波能量均勻分布到整個(gè)基片表面，通過(guò)分布能量的大化支持理想的清洗，同時(shí)保證在樣片的損傷閾值范圍...

熱真空試驗(yàn)箱測(cè)試系統(tǒng)，用于極真空及可控均勻的加熱和冷卻循環(huán)套件下測(cè)試器件或樣品。該系統(tǒng)具有計(jì)算機(jī)控制、安全連鎖，以及多級(jí)密碼授權(quán)訪問(wèn)保護(hù)的功能。它可以用于超過(guò)24小時(shí)的圈子全自動(dòng)熱、冷循環(huán)情況下測(cè)試器件/樣品，溫度條件通過(guò)程序定義。該系統(tǒng)通常的應(yīng)用之一是太空模擬。熱真空試驗(yàn)箱腔體的大致尺寸為：直徑24"，長(zhǎng)度43"。帶有一個(gè)16"x32"的滑動(dòng)加熱平，可以冷卻到零下100攝氏度。熱真空平臺(tái)也可以加熱到150攝氏度，具有高度的均勻度。在去邊3cm后整個(gè)平臺(tái)的溫度均勻度可達(dá)/-1...

NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對(duì)InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺(tái)式等離子輔助金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個(gè)鼓泡裝置(各帶獨(dú)立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺(tái)三個(gè)氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無(wú)油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動(dòng)控制，*的安全互鎖。目前，這項(xiàng)技術(shù)延伸到5個(gè)4"晶圓的立柜式獨(dú)立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成...

進(jìn)口ALD設(shè)備原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿(mǎn)足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn)：占地面積小計(jì)算機(jī)控制，Labview軟件全自動(dòng)工藝控制360A厚的...